抢人抢技术无用，大陆试产DRAM全失败
2017年09月26日 06:27 中国日报
合肥睿力、福建晋华等厂 出现零良率惨状
（新竹报导）中国砸大钱补助逾千亿人民币强力扶植半导体业，不仅重金挖角台湾
人才，甚至屡传被高薪挖角者涉嫌偷窃技术；业界传出，中国宣告要进军ＤＲＡＭ（动
态随机存取记忆体）的合肥睿力、福建晋华等厂，近期试产皆告惨败，砸钱挖角却因技
术不足，用偷的根本没用，中国发展ＤＲＡＭ产业大梦恐寸步难行。
中国近年挖角我ＤＲＡＭ业界人才一波接一波。华亚科前董事长高启全、前总经理
梅国勋纷跳槽紫光集团，华亚科主管与工程师掀起一波出走潮；除紫光外，从华亚科退
休的资深副总经理刘大维等一票人跳槽合肥长鑫（睿力集成电路），预计明年切入十九
奈米制程生产ＤＲＡＭ；曾任力晶资深副总经理、瑞晶总经理的陈正坤，加入联电并出
任策略合作的福建晋华ＤＲＡＭ厂总经理，联电接受晋华委托开发ＤＲＡＭ相关制程技
术，预计生产三十二奈米制程的ＤＲＡＭ。
但中国半导体砸钱挖人还是不管用，紫光先后对ＤＲＡＭ大厂美光、ＳＫ海力士收
购邀约被拒，发展ＤＲＡＭ暂告胎死腹中；紫光已并武汉新芯组成长江存储，发展三Ｄ
储存型快闪记忆体（NAND Flash）厂，联电前执行长孙世伟、联电新加坡厂高阶主管林
振堂也被网罗，但能否建立自主技术与量产成功，也是未知数。
业界最近传出，中国宣告要进军ＤＲＡＭ的合肥睿力、委由联电开发ＤＲＡＭ相关
制程技术的福建晋华等厂，近期试产ＤＲＡＭ皆告失败，甚至良率出现零的惨状。
专利、人力双缺 中国DRAM梦难实现
业界分析，ＤＲＡＭ专利技术门槛高，韩国三星、ＳＫ海力士与美国美光三大ＤＲ
ＡＭ大厂技术防线守得紧、全力围堵，量产更是打工程人力的团体战，专利与工程人力
两大条件，中国都欠缺，光靠砸钱挖角，技术却无着落，用带枪投靠的「偷」技术方式
根本没用，中国要发展ＤＲＡＭ产业大梦恐难实现。